En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Interfaces de interruptor de alimentación - Distribución de energía PROFET +12V Smart Hi Side Pwr SW
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Corriente de salida:
2 A
Categoría de productos:
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación
Estilo de montaje:
DSM/SMT
En la resistencia - máxima:
180 mOhms
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 ° C.
Pd - Disposición de energía:
1,6 vatios
Envase / estuche:
El número de unidades de producción
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
A tiempo - máximo:
230 nosotros
Del tiempo - máximo:
230 nosotros
embalaje:
El rollo
Voltado de alimentación - Min:
5 V
Serie:
El Profeta 12V
Voltado de alimentación de funcionamiento:
5 V a 28 V
Número de resultados:
Salida 2
Tipo de producto:
Alto lado
Límite actual:
8 A
Válvula de alimentación - máximo:
El número de unidades
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El BTS5180-2EKA, de Infineon Technologies, es Power Switch ICs - Power Distribution. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
S26HS01GTGABHB030 Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET MOSFET
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
|
|
FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
|
|
|
|
S26HS01GTGABHB030 Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
|
|
FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
|
|
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
