Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Vgs(th) (máximo) @ Id:
-
Serie:
-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
49 nC @ 4,5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-WPAK (3)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
2mOhm @ 32,5A, 10V
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Envase / estuche:
8-PowerWDFN
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET:
-
Introducción
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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El número de unidad de control será el número de unidad de control.
N-CHANNEL POWER MOSFET
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
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Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
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Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.
IC FREQ SYNTH 32TQFP
Imagen | parte # | Descripción | |
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El HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
DIODE ZENER 0.4W
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THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
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