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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.

fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK y otros componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
En bruto
Vgs(th) (máximo) @ Id:
-
Serie:
-
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
49 nC @ 4,5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-WPAK (3)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
2mOhm @ 32,5A, 10V
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Envase / estuche:
8-PowerWDFN
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET:
-
Resaltar:

Semiconductor IC RJK0346DPA

,

RJK0346DPA power management IC

,

RJK0346DPA-00#J0 integrated circuit

Introducción
Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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