Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos.
fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2,5 V a 1 mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
SC-100, SOT-669
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
42 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
4.8mOhm @ 22.5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6100 pF @ 10 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
LFPAK
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
45A (Ta)
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Resaltar:
Semiconductor IC RJK0653DPB
,RJK0653DPB power IC
,RJK0653DPB-00#J5 chip
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Productos relacionados
El HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
DIODE ZENER 0.4W
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE.
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos.
IC FREQ SYNTH 32TQFP
Se aplicará el procedimiento siguiente:
IC CLOCK GENERATOR 20QSOP
5P50902NBGI8
IC CLK GEN SPREAD SPECTRUM 8DFN
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
El HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
|
|
|
|
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
DIODE ZENER 0.4W
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
|
|
|
|
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
|
|
|
|
RJK0651DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE. |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
|
|
|
|
Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de la calidad de los productos. |
IC FREQ SYNTH 32TQFP
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
IC CLOCK GENERATOR 20QSOP
|
|
|
|
5P50902NBGI8 |
IC CLK GEN SPREAD SPECTRUM 8DFN
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: