Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.
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fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Se trata de un sistema de control de la energía.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Serie:
FRED Pt®
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
46 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
30A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un tipo de producto que se utiliza para la fabricación de productos químicos.
Introducción
Diodo 600 V 30A a través del agujero TO-247AD
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
Las demás sustancias:
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
Se aplicará el método de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Las demás sustancias: |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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Se aplicará el método de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
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