Las demás sustancias:
fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las condiciones de produc
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.25 V @ 200 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
BAS20
Resaltar:
Semiconductor IC BAS20-HE3-18
,BAS20-HE3-18 diode
,IC component with warranty
Introducción
Diodo de 150 V 200 mA montado en la superficie SOT-23-3
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DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
Se aplicará el método de ensayo.
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DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
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VS-10MQ100NTRPBF |
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
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