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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto i
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Vishay Siliconix
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FDD6637: las condiciones de los productos |
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
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En el caso de las
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FDMS86540 |
MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN
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En el caso de las
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NTD25P03LT4G |
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
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En el caso de las
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Se aplicará el método de ensayo. |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 y otros componentes
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Vishay Siliconix
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FDD86569-F085 |
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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NTD6416ANLT4G |
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
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En el caso de las
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Las condiciones de las condiciones de ensayo deberán ser las siguientes: |
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
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En el caso de las
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FQD19N10LTM |
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FQT1N60CTF-WS |
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4 y otras fuentes de energía
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En el caso de las
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SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23- 3
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Vishay Siliconix
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto
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Vishay Siliconix
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NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 y sus componentes
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En el caso de las
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NTR1P02T1G |
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 y sus componentes
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En el caso de las
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Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en el anexo IV. |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP también puede utilizarse
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En el caso de las
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NTS4001NT1G |
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se aplicarán las siguientes condiciones: |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de los resultados. |
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH: el valor de las emisiones de CO2 es el mismo que el valor de las emisiones
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En el caso de las
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BSS138LT1G |
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 y sus componentes
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En el caso de las
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SUM110P06-08L-E3 Las condiciones de los productos incluidos en el anexo I se determinarán en el anexo II. |
MOSFET P-CH 60V 110A hasta 263
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Vishay Siliconix
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente: |
MOSFET N-CH 200V 18A TO263 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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SUM55P06-19L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 55A TO263 y otros
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Vishay Siliconix
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FDMS86101 y sus derivados |
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN El sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la
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En el caso de las
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FDMC86261P |
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP, para el cual se utiliza el sistema de carga de energía
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En el caso de las
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El número de unidades de producción de los productos de la serie 1 se determinará en función de las condiciones de producción. |
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 y otros componentes
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP y otros componentes de los mismos
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Vishay Siliconix
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NTRV4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
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En el caso de las
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SIHP18N50C-E3 |
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Vishay Siliconix
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Se trata de un documento de identificación. |
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3 y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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IRF640PBF: el número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo |
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inve
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN: el motor de la unidad de transmisión de la unidad de transmisión de l
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En el caso de las
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FDBL0150N80 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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SUM110P06-07L-E3 |
MOSFET P-CH 60V 110A hasta 263
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Vishay Siliconix
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IRFR430ATRPBF |
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
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Vishay Siliconix
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FCD900N60Z |
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 y otros dispositivos de transmisión de energía
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En el caso de las
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FDMC86102L |
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP y el resto de los componentes
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En el caso de las
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente: |
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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Vishay Siliconix
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SUD15N15-95-E3 |
MOSFET N-CH 150V 15A TO252 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el método de ensayo de la norma de la NTMFS5C. |
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
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En el caso de las
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FDS86242 y otros |
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado. |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23- 3
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a 0,9%. |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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SQ3426AEEV-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP y sus componentes
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Vishay Siliconix
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SQ2398ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Vishay Siliconix
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FDN339AN |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los gases de combustión.
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En el caso de las
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NTGS4141NT1G |
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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NTBG025N065SC1 |
Se trata de una mezcla de hidróxido de silicio y hidróxido de potasio.
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En el caso de las
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2V7002KT1G |
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
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En el caso de las
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