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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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SQ2308CES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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FDC638APZ |
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
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En el caso de las
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Se aplicará el método IRFP450APBF. |
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la s
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En el caso de las
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FDB075N15A |
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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SIR167DP-T1-GE3 (en inglés) |
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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FDT3612 |
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
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En el caso de las
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Si3127DV-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto in
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 y otros sistemas de transmisión de energía
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Vishay Siliconix
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Se aplicarán los siguientes requisitos: |
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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SQ2318AES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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NTR4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
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En el caso de las
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FDC5612 |
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 y sus componentes
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En el caso de las
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NVH4L080N120SC1 |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de la
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En el caso de las
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Las condiciones de los productos de la categoría 1 se aplicarán a los productos de las categorías 1 y 2 del anexo I. |
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF y otros sistemas de transmisión de energía
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será inferior al 0,9%. |
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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FDMS86350 |
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
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En el caso de las
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FDB33N25TM |
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
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En el caso de las
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BSS138 y BSS139 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 y sus componentes
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En el caso de las
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Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros |
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Vishay Siliconix
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FDV301N |
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
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En el caso de las
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Se trata de un producto de la familia de los productos farmacéuticos. |
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN, para el cual se utiliza un sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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NTGS3446T1G |
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 y el resto de los componentes
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Vishay Siliconix
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor no deberá exceder el valor de las emision
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Vishay Siliconix
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FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
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En el caso de las
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NVD5117PLT4G-VF01 |
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
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En el caso de las
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de los motores de combustión interna.
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Vishay Siliconix
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FDBL86361-F085 |
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Vishay Siliconix
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FDMS86263P: las pruebas de seguridad |
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN y otros componentes de la misma
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En el caso de las
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NVMFS5113PLT1G |
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
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En el caso de las
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Las condiciones de los servicios de seguridad son las siguientes: |
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembro
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Vishay Siliconix
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FDMS7670: el número de unidad |
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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NTMFS5C604NLT3G |
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C. |
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 y otros componentes de la misma
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 es igual o superior a 0,9%. |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
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Vishay Siliconix
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bss84 |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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Se trata de un documento de identificación. |
JFET N-CH 25V 10MA SOT23
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En el caso de las
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MMBF5484 |
Se aplicará el método de medición de la velocidad.
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En el caso de las
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2SK3557-7-TB-E |
MOSFET de RF N-CH JFET 5V 3CP
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En el caso de las
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2SK3557-6-TB-E |
MOSFET de RF N-CH JFET 5V 3CP
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En el caso de las
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CONTRA - 40 TPS 12 MAÑANA 3 |
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros se calcular
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE. |
TIRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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Renesas Electronics América Inc.
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VS-70TPS12PBF |
SCR 1.2KV 75A SUPER-247 y el resto de los componentes
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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Las condiciones de las pruebas de seguridad deberán ser las siguientes: |
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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Vishay General Semiconductor - División de diodos
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MCP79412T-I/MNY |
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Tecnología de microchips
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PL904118UMG |
IC JITTER ATENCIÓN 32QFN
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Tecnología de microchips
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