Se aplicará el procedimiento siguiente:
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
El número de unidades de recolección de datos es el número de unidades de recolección.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
20ns
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I.
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
64Kbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
20 ns
Envase / estuche:
100-LQFP
Organización de la memoria:
4K x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
tecnología:
SRAM - Puerto doble, asíncrono
Número del producto de base:
Las demás:
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - Puerto doble, IC de memoria asincrónica 64Kbit paralelo 20 ns 100-TQFP (14x14)
Productos relacionados
El HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
DIODE ZENER 0.4W
Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos.
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
El número de unidad de control será el número de unidad de control.
N-CHANNEL POWER MOSFET
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
POWER MOSFET
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE.
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
El HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
|
|
|
|
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades |
DIODE ZENER 0.4W
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos. |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
|
|
|
|
El número de unidad de control será el número de unidad de control. |
N-CHANNEL POWER MOSFET
|
|
|
|
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
POWER MOSFET
|
|
|
|
RJK0651DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE. |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
|
|
|
|
Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes: |
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
