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Se aplicarán las siguientes medidas:

fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
El sistema de almacenamiento de datos de las unidades de almacenamiento de datos de las unidades de
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
Las demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
48-TSOP I
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
16Mbit
Voltagem - Suministro:
2.7V ~ 3.6V
Tiempo de acceso:
55 ns
Envase / estuche:
48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho)
Organización de la memoria:
los 2M x 8, el 1M x 16
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
tecnología:
La SRAM
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
IC de memoria SRAM de 16 Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I
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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos.

MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
calidad [#varpname#] fábrica

El número de unidad de control será el número de unidad de control.

N-CHANNEL POWER MOSFET
calidad [#varpname#] fábrica

Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
calidad [#varpname#] fábrica

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

POWER MOSFET
calidad [#varpname#] fábrica

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MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
calidad [#varpname#] fábrica

Se aplicará el método de ensayo de la norma de la CE.

THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:

IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: