VS-70TPS12PBF
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Las demás
Las entidades de crédito
Válvulas de tensión en estado de funcionamiento (Vtm) (máximo):
1,4 V
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Actual - del estado (máximo):
1 mA
Serie:
-
Corriente - En estado (IT (AV)) (máximo):
70 A
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de la unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la
Actual - en el estado (él (RMS)) (Máximo):
75 A
Voltado - Desactivado:
1,2 kilovoltios
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Actual - disparador de la puerta (Igt) (máximo):
100 MA
Voltaje - disparador de la puerta (Vgt) (máximo):
1,5 V
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
Tipo de SCR:
Recuperación estándar
Actual - control (Ih) (máximo):
200 mA
Número del producto de base:
70TPS12
Corriente - Surgimiento no repetitivo 50, 60 Hz (Itsm):
Las emisiones de gases de efecto invernadero
Introducción
SCR 1.2 kV 75 A Recuperación estándar a través del agujero SUPER-247TM (TO-274AA)
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
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VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las demás sustancias:
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Se aplicará el método de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Imagen | parte # | Descripción | |
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
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Las demás sustancias: |
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Se aplicará el método de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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