Se aplicará el método de evaluación de los riesgos.
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
10 NC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1.24 mOhm @ 15A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono.
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Disipación de poder (máxima):
500W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
SQJA36
Introducción
Se aplicará una presión de 40 V a la presión de 40 V.
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.
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