Si se cumplen las condiciones siguientes:
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
N-canal
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
El tubo
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Serie:
-
Vgs (máximo):
±30V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Paquete de dispositivos del proveedor:
D²PAK (TO-263)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1836 pF @ 100 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Disipación de poder (máxima):
208W (Tc)
Envase / estuche:
TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El SIHB24
Introducción
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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