Se aplicará el método IRFP448PBF.
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicaciones
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
84 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros se calcularán de acuerdo co
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
500 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1900 PF @ 25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AC
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
Se aplicarán las siguientes medidas:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
IRFP448
Introducción
N-canal 500 V 11A (Tc) 180W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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