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SF1600-TAP

fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
El diodo de avalancha 1.6KV 1A SOD57
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1600 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
3.4 V @ 1 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-57
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SOD-57, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
1600 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SF1600
Introducción
Diodo 1600 V 1A a través del agujero SOD-57
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.

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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
calidad [#varpname#] fábrica

MURS340-M3/9AT

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.

DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.

DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
calidad [#varpname#] fábrica

Las demás sustancias:

DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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Se aplicará el método de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
calidad [#varpname#] fábrica

Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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