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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.

fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 30A a 247AD
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.3 V @ 30 A
Paquete:
El tubo
Serie:
FRED Pt®
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
113 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
30A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Introducción
Diodo 1200 V 30A a través del agujero TO-247AD
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.

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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.

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Las demás sustancias:

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Se aplicará el método de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
calidad [#varpname#] fábrica

Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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