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Se aplicará el procedimiento siguiente:

fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Se aplican las siguientes medidas:
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
1.8 μs
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AC, SMA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
S1A
Introducción
Diodo 50 V 1A montado en la superficie DO-214AC (SMA)
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.

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Se aplicará el procedimiento siguiente:

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calidad [#varpname#] fábrica

El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
calidad [#varpname#] fábrica

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DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
calidad [#varpname#] fábrica

Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.

DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
calidad [#varpname#] fábrica

Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.

DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
calidad [#varpname#] fábrica

Las demás sustancias:

DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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Se aplicará el método de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
calidad [#varpname#] fábrica

Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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