UF5408-E3/54
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
36pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Envases y embalajes
Introducción
Diodo 1000 V 3A a través del agujero DO-201AD
Productos relacionados
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las demás sustancias:
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Se aplicará el método de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Imagen | parte # | Descripción | |
---|---|---|---|
![]() |
Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
|
|
![]() |
VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
|
|
![]() |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
|
|
![]() |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
|
|
![]() |
MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
|
|
![]() |
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
|
|
![]() |
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
|
|
![]() |
Las demás sustancias: |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
|
|
![]() |
Se aplicará el método de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
|
|
![]() |
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: