Se aplicará el método de ensayo.
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fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
El diodo de avalancha 1.3KV 1A DO214AC
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1300 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.9 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
9pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AC, SMA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un proyecto de investigación.
Introducción
Diodo 1300 V 1A montado en la superficie DO-214AC (SMA)
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
Las demás sustancias:
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
Se aplicará el método de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.
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| Imagen | parte # | Descripción | |
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo. |
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