US1GHE3_A/H
fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 400 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AC, SMA
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
US1G
Resaltar:
Semiconductor IC with warranty
,US1GHE3_A/H IC component
,Semiconductor IC chip
Introducción
Diodo 400 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA)
Productos relacionados
Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo.
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
Se aplicará el procedimiento siguiente:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I.
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
Las demás sustancias:
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
Se aplicará el método de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo.
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
| Imagen | parte # | Descripción | |
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Las pruebas de seguridad deberán ser realizadas en el lugar de ensayo. |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Las demás sustancias: |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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Se aplicará el método de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el lugar de ensayo. |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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