Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor no deberá exceder el valor de las emision
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5392 pF @ 25 V
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Vgs (máximo):
± 20 V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3.5V @ 250µA
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
5 mOhm @ 15A, 10V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Disipación de poder (máxima):
395W (Tc)
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicarán las siguientes medidas:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Característica del FET:
-
Introducción
Se aplicará el método de calibración de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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