SIR167DP-T1-GE3 (en inglés)
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
No más de 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
5Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Vgs (máximo):
±25V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Las partidas de los demás componentes
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
TrenchFET® generación III
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
65.8W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El tratamiento de la infección
Introducción
Se utilizará para la obtención de datos sobre la capacidad de los equipos de producción de energía para la producción de energía.
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