Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 99A hasta 247AC
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
228 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable se calculará en funció
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
±30V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7612 pF @ 100 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
E
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247AC
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
El número de unidades de producción
Disipación de poder (máxima):
524 W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Los datos de los Estados miembros deben estar disponibles.
Introducción
N-canal 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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