Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
8,3 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones de combustión renovable se calcula
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
IRFL110
Introducción
N-Canal 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Montaje de superficie SOT-223
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