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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
P-canal
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Serie:
Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET®
Vgs (máximo):
± 20 V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
12Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5500 pF @ 25 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
SQJ147
Introducción
Se utilizará el sistema de control de velocidad de los conductores de alta velocidad.
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