Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente:
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
N-canal
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Serie:
TrenchFET®
Vgs (máximo):
± 20 V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
29.2mOhm @ 5.9A, 10V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Disipación de poder (máxima):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Sección 4
Introducción
N-Canal 100 V 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Montaje de superficie 8-SOIC
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