Las condiciones de los controles de seguridad deben ser las siguientes:
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 7.7A a 251AA, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Ventajas del cortocircuito TO-251-3, IPak, TO-251AA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
16 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-251AA
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
7.7A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
2.5W (Ta), 42W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
IRFU120
Introducción
N-Canal 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) a través del agujero TO-251AA
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