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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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TIP147T |
Transistores de Darlington PNP Transistores de Darlington 100V/10a
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de la siguiente: |
Transistores de Darlington NPN de energía Darlington
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STMicroelectrónica
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TIP122 |
Transistores de Darlington NPN de energía Darlington
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STMicroelectrónica
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STGW60H65DFB |
IGBT Transistores 600V 60A puerta de zanja IGBT de parada de campo
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STMicroelectrónica
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STGWA25H120DF2 |
Transistores IGBT y bipolares de potencia
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STMicroelectrónica
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistores IGBT Puerta de zanja de campo IGBT serie M, 650 V 50 A baja pérdida
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STMicroelectrónica
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STGW80V60DF |
Transistores IGBT Puerta de zanja de la serie V 600V 80A HiSpd
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STMicroelectrónica
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STGWA60H65DFB |
Transistores IGBT y bipolares de potencia
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STMicroelectrónica
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STGW39NC60VD |
Transistores IGBT MFT de canal N
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STMicroelectrónica
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STGD18N40LZT4 |
IGBT Transistores EAS 180 mJ-400 V sujetados a IGBT
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores IGBT 2A 6V cortocircuito IGBT resistente
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STMicroelectrónica
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STGWA40H65DFB |
Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie HB 650 V, 40 A de alta velocidad
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STMicroelectrónica
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STGW80H65DFB |
IGBT Transistores Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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STMicroelectrónica
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STGW60V60DF |
Transistores IGBT 600V 60A Puerta de zanjas de alta velocidad IGBT
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STMicroelectrónica
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STGP30M65DF2 |
Transistores IGBT Puerta de trinchera de campo de parada de la serie IGBT M, 650 V 30 A baja pérdida
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STMicroelectrónica
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STGW20NC60VD |
Transistores IGBT N-Ch 600 V 30 Amp
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STMicroelectrónica
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STGB15M65DF2 |
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STMicroelectrónica
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STGB30H60DFB |
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STMicroelectrónica
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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En el caso de las
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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En el caso de las
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STW48NM60N |
MOSFET N-CH 600V 39A a 247
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STMicroelectrónica
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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En el caso de las
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STP150N10F7 |
MOSFET N-Ch 100V 0,0036 Ohm tipo 110A
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STMicroelectrónica
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STP17N80K5 |
MOSFET Potencia MOSFET
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STMicroelectrónica
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6 y sus componentes
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET Potencia MOSFET
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-canal 1500 V 4 A PowerMESH
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STMicroelectrónica
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STP315N10F7 |
MOSFET Potencia MOSFET
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STMicroelectrónica
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STS4DNF60L |
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
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STMicroelectrónica
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FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
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En el caso de las
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363 y otros sistemas de transmisión de energía
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En el caso de las
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FDC6312P |
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 y otros sistemas de transmisión de energía
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En el caso de las
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FDC6305N |
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
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En el caso de las
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FDC6420C |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de velocidad. |
MOSFET N-CH 1KV 8.3A hasta 247
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STMicroelectrónica
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NTS4101PT1G |
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 y sus componentes
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En el caso de las
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FQD7P20TM |
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
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En el caso de las
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STP110N7F6 |
MOSFET N-CHANNEL 68V 110A hasta 220
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos. |
Módulos IGBT SLLIMM 2a serie IPM, inversor de 3 fases, 10 A, 600 V IGBT resistentes con cortocircuit
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STMicroelectrónica
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STGIPQ3H60T-HL |
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Rectificador de Schottky del poder de los diodos y de los rectificadores de Schottky
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STMicroelectrónica
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Diodos y rectificadores de Schottky 200V Schottky DC DC 45pF TO220PF 2000V
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el método de ensayo siguiente: |
Diodos y rectificadores 2x30 amperio de Schottky 100 voltios
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STMicroelectrónica
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Diodos y rectificadores de Schottky 2x30 Amp 150 Voltios
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STMicroelectrónica
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
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STMicroelectrónica
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Rectificadores 2X10 Amp 300 V
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STMicroelectrónica
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STPSC10H065D |
El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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STMicroelectrónica
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FERD40H100STS: las pruebas de seguridad de los vehículos |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de dióxido de carbono en el ensayo de las emisiones
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STMicroelectrónica
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Se aplicarán las siguientes medidas: |
Diodo SCHOTTKY 100V 2A SMB
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STMicroelectrónica
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Se trata de una prueba de la calidad de los productos. |
Se trata de un dispositivo de control de las emisiones de gases de efecto invernadero
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STMicroelectrónica
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