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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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MT4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
El número de unidad es el número de unidad.
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Tecnología de micrones
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PESO DE MTFC4GACAJCN-1M |
El sistema de control de velocidad de la unidad de control de velocidad de la unidad de control de v
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Tecnología de micrones
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MT5205M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
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Tecnología de micrones
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Microcontroladores de 8 bits - MCU 5V RANGE 8B MCU
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STMicroelectrónica
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S908AB32AE2MFUE |
Microcontroladores de 8 bits - Microcontroladores MCU BL
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Escala libre / NXP
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En el caso de los Estados miembros: |
Microcontroladores de 8 bits - MCU AVR 4KB FLSH 64B EE 256B SRAM-12MHz, IND
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Atmel / Tecnología de microchips
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PIC12F609-I/P |
Microcontroladores de 8 bits - MCU 1.75KB Flash, I TEMP 8MHz Oscilador interno
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Tecnología de microchips
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En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones: |
Microcontroladores de 8 bits - MCU AVR 2KB FLSH 128B EE USI ADC 20MHz 1.8V
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Atmel / Tecnología de microchips
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
microcontroladores de 8 bits - MCU 64K 2K de destello EEPROM 4K SRAM 32 pernos del IO
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Atmel / Tecnología de microchips
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CY8C4025LQS-S411 |
Microcontroladores ARM - MCU PSoC4
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El ciprés semiconductor
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R5F1026AASP#35 |
Microcontroladores de 16 bits - MCU 16BIT MCU RL78/G12 16K LSSOP20 -40/+85C
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Renesas Electrónica
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Se trata de un sistema de transmisión por cable. |
Microcontrolador de la serie H8/300H IC de 16 bits 25MHz 128KB (128K x 8) FLASH 100-QFP
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Renesas Electrónica
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MMBFJ309LT1G |
JFET 25V 10mA
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En el caso de las
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MMBFJ177LT1G |
JFET 25V 10mA
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En el caso de las
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No se puede obtener información adicional sobre el uso de los dispositivos. |
Transistores Darlington BIP PNP 2A 100V TR
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Los transistores de Darlington DARLINGTON TRNS ARRY
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores de Darlington BIP DPAK PNP 3A 100V TR
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En el caso de las
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MJD122T4G |
Transistores de Darlington 8A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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BD681G |
Transistores de Darlington 4A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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MJH6284G |
Transistores de Darlington 20A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Transistores de alta tensión de alta corriente de Darlington
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En el caso de las
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BD682G |
Transistores de Darlington 4A 100V 40W PNP
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En el caso de las
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MJD127T4G |
Transistores de Darlington 8A 100V de potencia bipolar PNP
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En el caso de las
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No se puede utilizar el sistema de control de velocidad. |
Transistores Darlington BIP DPAK NPN 8A 100V TR
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En el caso de las
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ULN2003ADR2G |
Los transistores de Darlington DARLINGTON TRNS ARRY
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En el caso de las
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TIP122G |
Transistores de Darlington 5A 100V de potencia bipolar NPN
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores de Darlington 300mA 30V NPN
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En el caso de las
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BSP52T3G |
Transistores de Darlington SS DL XSTR NPN 80V
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En el caso de las
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MJH6287G |
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En el caso de las
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No obstante, los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deben cumplirse en todos los casos. |
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En el caso de las
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El punto de referencia de las pruebas de ensayo debe ser el siguiente: |
Transistores IGBT IGBT
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Renesas Electrónica
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NGTB25N120FL3WG |
IGBT Transistores IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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En el caso de las
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FGA40T65SHD |
Transistores IGBT 650V FS Gen3 IGBT de zanja
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Semiconductor Fairchild
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FGH60N60SMD |
Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2
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Semiconductor Fairchild
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NGTB50N120FL2WG |
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En el caso de las
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FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad |
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Semiconductor Fairchild
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MUN5235DW1T1G |
Transistores bipolares - con doble NPN de 100mA 50V BRT pre-biasados
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Pre-biasado 100mA 50V BRT PNP
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En el caso de las
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DTC114YET1G |
Transistores bipolares - 100mA Pre-en polarización negativa 50V NPN BRILLANTE
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Pre-biasado 100mA 50V BRT PNP
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En el caso de las
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MMUN2233LT1G |
Transistores bipolares - 100mA Pre-en polarización negativa 50V NPN BRILLANTE
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - SS SC75 BR XSTR PNP 50V con pre-bias
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En el caso de las
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En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, la autoridad competente deberá: |
Transistores Bipolares - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - SS BR XSTR NPN 50V con pre-sesgo
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En el caso de las
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SBC817-25LT1G: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
Transistores bipolares - SS GP XSTR SPCL TR pre-biasado
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En el caso de las
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET CANAL N 600V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFETO MOSFETO
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Renesas Electrónica
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NTMFS4C022NT1G |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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