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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET para MV7 sin plomo 80V
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Semiconductor Fairchild
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FDD8874 y otros |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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FDS4559 |
MOSFET 60V/60V N/P
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Semiconductor Fairchild
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SI1869DH-T1-E3 |
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formu
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Vishay Semiconductores
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El número de contacto es el siguiente: |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Tipo Rds ((on) 24mohm
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Siliciox / Vishay
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Se trata de un sistema de gestión de la seguridad. |
MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm N-Channo único u8FL
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En el caso de las
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NCV8405ASTT1G |
MOSFET auto-protegido en el lado inferior F
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En el caso de las
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FDC6312P |
MOSFET SSOT-6 P-CH doble
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Semiconductor Fairchild
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NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
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En el caso de las
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SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Amp
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Vishay Semiconductores
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2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5 Ohms
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de los sistemas de transmisión.
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Tecnologías Infineon
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NTZD3154NT5G |
MOSFET 20V 540mA con doble canal N y ESD
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En el caso de las
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Se aplicará el método siguiente: |
MOSFET N-CH Potencia MOSFET 1500V 2.5A
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En el caso de las
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NTD6416ANT4G |
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO y el resto de los componentes
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En el caso de las
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IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDP61N20 |
MOSFET 200V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET doble N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
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Vishay Semiconductores
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NTR2101PT1G |
MOSFET -8V 3.7A Canal P
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En el caso de las
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NVD5862NT4G: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros |
MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM y también
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFETO MOSFETO
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Tecnologías Infineon
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T, que se encuentra en el centro de la ciudad
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Tecnologías Infineon
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IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V / 20V Nch MOSFET de corte de energía
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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FDD8444 |
MOSFET baja tensión
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Semiconductor Fairchild
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes |
El módulo IGBT MED PWR 62MM-2
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
Transistores bipolares - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2 incluidos en el presente anexo. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 2A 100V
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
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En el caso de las
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 8A 80V TR
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En el caso de las
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los requisitos de seguridad se aplicarán a las instalaciones de las categorías IIa y IIIa. |
Transistores bipolares - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
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En el caso de las
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SBCP53-16T1G |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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En el caso de las
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MJE253G |
Transistores bipolares - BJT 4A 100V 15W PNP
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En el caso de las
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BCP53-16T1G |
Transistores bipolares - BJT 1.5A 100V PNP
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En el caso de las
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán adoptar medidas de salvaguardia. |
Transistores bipolares - BJT 200 W BETA AUDIO
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En el caso de las
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MJD210G |
Transistores bipolares - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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En el caso de las
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No obstante, los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sist |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
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En el caso de las
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MJE182G |
Transistores bipolares - BJT 3A 80V NPN de 12,5 W
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - BJT 600mA 60V PNP
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 1A 50V
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 1A 50V
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En el caso de las
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SBC807-25LT1G: el valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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En el caso de las
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SBCP53-10T1G Las pruebas de detección |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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En el caso de las
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2SC3647S-TD-E: las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 2A 100V
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En el caso de las
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2N3773G |
Transistores bipolares - BJT 16A 140V 150W NPN
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En el caso de las
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