Filtros
Filtros
Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7,5A 0,034R
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
NDS9407 |
MOSFET Fosa de energía MOSFET de P-Ch único
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
|
Siliciox / Vishay
|
|
|
|
|
|
2N7000TA |
MOSFET 60V de canal N Sm Sig
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 40V / 20V NCh PowerTrench MOSFET para el suministro de energía
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de las pruebas de conformidad con el punto 6.2.4.1 del presente anexo |
MOSFET 30V Dual PowerTrench de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FCD380N60E |
MOSFET 600V MOSFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDS6990AS |
MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8 y sus componentes
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna, el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna será inferior al 0,5%. |
MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20 V
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS y sus componentes
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos. |
MOSFET JET Serie MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF, que se utiliza para la producción de energía eléctric
|
Renesas Electrónica
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
IRL520PBF: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
NVD2955T4G: las condiciones de los equipos de ensayo |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO y otros componentes de los mismos
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDA59N30 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
Las condiciones de los productos de la categoría II se aplicarán a los productos de la categoría III. |
MOSFET P-Chan 100V 12 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2.5V de drenaje común
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET para MV7 sin plomo 80V
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDD8874 y otros |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET 60V/60V N/P
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SI1869DH-T1-E3 |
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo deberán estar disponibles en el formu
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
El número de contacto es el siguiente: |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Tipo Rds ((on) 24mohm
|
Siliciox / Vishay
|
|
|
|
|
|
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad. |
MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm N-Channo único u8FL
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
NCV8405ASTT1G |
MOSFET auto-protegido en el lado inferior F
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
FDC6312P |
MOSFET SSOT-6 P-CH doble
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
NCV8402ASTT1G |
MOSFET 42V 2.0A
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Calificado
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF |
MOSFET P-Chan 200V 6,5 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
2N7002KT1G |
MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2.5 Ohms
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de los sistemas de transmisión.
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
|
|
|
NTZD3154NT5G |
MOSFET 20V 540mA con doble canal N y ESD
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el método siguiente: |
MOSFET N-CH Potencia MOSFET 1500V 2.5A
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
NTD6416ANT4G |
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO y el resto de los componentes
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
FDP61N20 |
MOSFET 200V MOSFET de canal N
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
|
Semiconductor Fairchild
|
|
|
|
|
|
SI1024X-T1-GE3 |
MOSFET doble N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
|
Vishay Semiconductores
|
|
|
|
|
|
NTR2101PT1G |
MOSFET -8V 3.7A Canal P
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
NVD5862NT4G: las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros |
MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM y también
|
En el caso de las
|
|
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFETO MOSFETO
|
Tecnologías Infineon
|
|
|
