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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
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NVD5C684NLT4G |
MOSFET T6 60V LL DPAK
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 20V 4.4A MOSFET P-CH
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Vishay Semiconductores
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 30V 250mA con doble canal N
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En el caso de las
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BSS138K |
MOSFET 50V NCh Modo de mejora del nivel lógico FET
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Semiconductor Fairchild
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2N7002WT1G |
MOSFET señal pequeña MOSFET 6.8V LO C
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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En el caso de las
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IRFB18N50KPBF |
MOSFET N-Chan 500V 17 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDS6898A |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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MCH6445-TL-W |
Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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En el caso de las
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SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET de canal P 12V AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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FDC3601N |
MOSFET Dual N-Ch 100V Fosa de potencia de especificación
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Semiconductor Fairchild
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FDG6332C |
MOSFET 20V Fosa de energía de canal N&P
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En el caso de las
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NTA7002NT1G |
MOSFET 30V 154mA en el canal N
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En el caso de las
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FDG6303N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25 V
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO y otras sustancias químicas
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En el caso de las
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40 V 200 A. Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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En el caso de las
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad. |
MOSFET N-Chan 600V 16 Amp
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Vishay Semiconductores
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET SuperFET2 600V versión lenta
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Semiconductor Fairchild
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FDMS86200 |
MOSFET 150V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Semiconductor Fairchild
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FDD4685 |
MOSFET -40V MOSFET de transmisión de energía por canal P
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En el caso de las
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FDS8858CZ |
MOSFET 30V MOSFET con doble N & P-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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FQD7P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDS4897C |
MOSFET 40V MOSFET con doble N & P-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET Dual N-Ch 2.5V Fosa de potencia de especificación
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Semiconductor Fairchild
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III y otros componentes de los mismos
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2 |
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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En el caso de las
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FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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En el caso de las
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NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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En el caso de las
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FDG6316P |
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
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En el caso de las
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MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ y otros componentes
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En el caso de las
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NTNS3193NZT5G |
MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 y otros componentes
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En el caso de las
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Tecnologías Infineon
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
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Renesas Electrónica
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Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET MV8 P Programa inicial
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En el caso de las
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NVD6415ANLT4G-VF01 y las siguientes: |
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET auto-protegido en el lado inferior F
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En el caso de las
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NTS4101PT1G |
MOSFET -20V -1.37A Canal P
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En el caso de las
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NVR4501NT1G |
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
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En el caso de las
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconductores
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NTJS4151PT1G |
MOSFET -20V -4.2A Canal P
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, incluidos los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET FET autoprotegido
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En el caso de las
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NTS2101PT1G |
MOSFET -8V -1.4A Canal P
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET T6 40V NCH LL en SO8
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En el caso de las
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