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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET Dual N-Ch 2.5V Fosa de potencia de especificación
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Semiconductor Fairchild
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SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III y otros componentes de los mismos
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2 |
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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En el caso de las
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FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
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En el caso de las
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NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
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En el caso de las
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FDG6316P |
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
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En el caso de las
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MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 y sus componentes
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En el caso de las
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NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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En el caso de las
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FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ y otros componentes
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En el caso de las
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NTNS3193NZT5G |
MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 y otros componentes
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En el caso de las
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Tecnologías Infineon
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2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500V, TO-3PFM, libre de Pb
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Renesas Electrónica
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Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET MV8 P Programa inicial
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En el caso de las
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NVD6415ANLT4G-VF01 y las siguientes: |
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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Los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET auto-protegido en el lado inferior F
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En el caso de las
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NTS4101PT1G |
MOSFET -20V -1.37A Canal P
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En el caso de las
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NVR4501NT1G |
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
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En el caso de las
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SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm
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Vishay Semiconductores
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NTJS4151PT1G |
MOSFET -20V -4.2A Canal P
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, incluidos los vehículos de las categorías A y B. |
MOSFET FET autoprotegido
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En el caso de las
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NTS2101PT1G |
MOSFET -8V -1.4A Canal P
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET T6 40V NCH LL en SO8
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En el caso de las
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NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7,5A 0,034R
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En el caso de las
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FDP51N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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NDS9407 |
MOSFET Fosa de energía MOSFET de P-Ch único
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Semiconductor Fairchild
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SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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2N7000TA |
MOSFET 60V de canal N Sm Sig
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Semiconductor Fairchild
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NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 40V / 20V NCh PowerTrench MOSFET para el suministro de energía
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de las pruebas de conformidad con el punto 6.2.4.1 del presente anexo |
MOSFET 30V Dual PowerTrench de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FCD380N60E |
MOSFET 600V MOSFET de canal N
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Semiconductor Fairchild
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FDS6990AS |
MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8 y sus componentes
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,5% en el caso de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna, el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna será inferior al 0,5%. |
MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20 V
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Semiconductor Fairchild
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS y sus componentes
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Tecnologías Infineon
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos. |
MOSFET JET Serie MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF, que se utiliza para la producción de energía eléctric
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Renesas Electrónica
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FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
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Semiconductor Fairchild
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NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
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En el caso de las
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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IRL520PBF: el número de personas que se encuentran en el lugar de trabajo. |
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
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Vishay Semiconductores
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IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 Amp
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Vishay Semiconductores
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NVD2955T4G: las condiciones de los equipos de ensayo |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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FDA59N30 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
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Semiconductor Fairchild
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IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
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Vishay Semiconductores
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Las condiciones de los productos de la categoría II se aplicarán a los productos de la categoría III. |
MOSFET P-Chan 100V 12 Amp
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Vishay Semiconductores
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ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2.5V de drenaje común
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En el caso de las
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IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400V 3,1 Amp
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Vishay Semiconductores
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