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Semiconductor IC
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Se trata de un documento de identificación de los Estados miembros de la UE. |
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
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Vishay Semiconductores
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T, que se encuentra en el centro de la ciudad
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Tecnologías Infineon
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IRFP264PBF |
MOSFET N-Chan 250V 38 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDMS86150 |
MOSFET PT5 100V / 20V Nch MOSFET de corte de energía
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Semiconductor Fairchild
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de las emisiones |
MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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FDD8444 |
MOSFET baja tensión
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Semiconductor Fairchild
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes |
El módulo IGBT MED PWR 62MM-2
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Tecnologías Infineon
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
Transistores bipolares - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
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En el caso de las
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Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2 incluidos en el presente anexo. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 2A 100V
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
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En el caso de las
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Se aplicará el método de clasificación de los productos. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 8A 80V TR
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En el caso de las
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los requisitos de seguridad se aplicarán a las instalaciones de las categorías IIa y IIIa. |
Transistores bipolares - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
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En el caso de las
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SBCP53-16T1G |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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En el caso de las
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MJE253G |
Transistores bipolares - BJT 4A 100V 15W PNP
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En el caso de las
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BCP53-16T1G |
Transistores bipolares - BJT 1.5A 100V PNP
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En el caso de las
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No obstante lo dispuesto en el apartado 1, los Estados miembros podrán adoptar medidas de salvaguardia. |
Transistores bipolares - BJT 200 W BETA AUDIO
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En el caso de las
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MJD210G |
Transistores bipolares - BJT 5A 25V 12.5W PNP
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En el caso de las
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No obstante, los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sist |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
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En el caso de las
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MJE182G |
Transistores bipolares - BJT 3A 80V NPN de 12,5 W
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - BJT 600mA 60V PNP
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 1A 50V
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En el caso de las
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Se aplicará el procedimiento de evaluación de la conformidad. |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 1A 50V
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En el caso de las
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SBC807-25LT1G: el valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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En el caso de las
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SBCP53-10T1G Las pruebas de detección |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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En el caso de las
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2SC3647S-TD-E: las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 2A 100V
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En el caso de las
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2N3773G |
Transistores bipolares - BJT 16A 140V 150W NPN
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En el caso de las
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TIP42CG |
Transistores bipolares - BJT 6A 100V 65W PNP
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En el caso de las
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SBCP53T1G |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR PNP 80V
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web del fabricante. |
Transistores bipolares - BJT 40V NPN bajo VCE(SAT) XTR
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En el caso de las
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TIP41CG |
Transistores bipolares - BJT 6A 100V 65W NPN
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En el caso de las
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2SA2013-TD-E |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 4A 50V
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En el caso de las
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D45VH10G |
Transistores bipolares - BJT 15A 80V 83W PNP
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
Transistores bipolares - BJT 100V NPN bajo VCE ((SAT) TRA
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En el caso de las
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Se trata de una serie de medidas de seguridad. |
Transistores bipolares - BJT 60V PNP bajo VCE ((SAT) XTR
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En el caso de las
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NSS60201LT1G: el número de unidades de producción |
Transistores bipolares - BJT 60V NPN bajo VCE ((SAT) XTR
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
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En el caso de las
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MJE15034G |
Transistores bipolares - BJT 4A 350V 50W NPN
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En el caso de las
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MJE172G |
Transistores bipolares - BJT 3A 80V 12.5W PNP
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En el caso de las
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SBC846ALT1G |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR NPN 65V
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT 600mA 60V NPN
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En el caso de las
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MJ15024G |
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W a través del agujero TO-204 (TO-3)
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En el caso de las
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SBC817-40LT1G: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
Transistores bipolares - BJT SS GP XSTR SPCL TR
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En el caso de las
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2SC5566-TD-E. Los demás componentes de las máquinas |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 4A 50V
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En el caso de las
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MJE243G |
Transistores bipolares - BJT 4A 100V 15W NPN
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En el caso de las
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No se puede obtener información adicional. |
Transistores bipolares - BJT BIP NPN 4A 100V TR
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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En el caso de las
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NSS30101LT1G |
Transistores bipolares - BJT 1A 30V bajo VCEsat
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En el caso de las
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2SA2222SG |
Transistores bipolares - BJT BIP PNP 10A 50V
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En el caso de las
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TIP31CG |
Transistores bipolares - BJT 3A 100V 40W NPN
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En el caso de las
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