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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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BSP52T3G |
Transistores de Darlington SS DL XSTR NPN 80V
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En el caso de las
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MJH6287G |
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En el caso de las
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No obstante, los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deben cumplirse en todos los casos. |
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En el caso de las
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El punto de referencia de las pruebas de ensayo debe ser el siguiente: |
Transistores IGBT IGBT
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Renesas Electrónica
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NGTB25N120FL3WG |
IGBT Transistores IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
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En el caso de las
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FGA40T65SHD |
Transistores IGBT 650V FS Gen3 IGBT de zanja
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Semiconductor Fairchild
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FGH60N60SMD |
Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2
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Semiconductor Fairchild
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NGTB50N120FL2WG |
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En el caso de las
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FGH75T65UPD: el número de unidades de seguridad |
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Semiconductor Fairchild
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MUN5235DW1T1G |
Transistores bipolares - con doble NPN de 100mA 50V BRT pre-biasados
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Pre-biasado 100mA 50V BRT PNP
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En el caso de las
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DTC114YET1G |
Transistores bipolares - 100mA Pre-en polarización negativa 50V NPN BRILLANTE
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - Pre-biasado 100mA 50V BRT PNP
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En el caso de las
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MMUN2233LT1G |
Transistores bipolares - 100mA Pre-en polarización negativa 50V NPN BRILLANTE
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Transistores bipolares - SS SC75 BR XSTR PNP 50V con pre-bias
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En el caso de las
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En el caso de las personas que se encuentran en una situación de riesgo, la autoridad competente deberá: |
Transistores Bipolares - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
Transistores bipolares - SS BR XSTR NPN 50V con pre-sesgo
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En el caso de las
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SBC817-25LT1G: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
Transistores bipolares - SS GP XSTR SPCL TR pre-biasado
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En el caso de las
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Si el producto no es compatible con el mercado, se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET CANAL N 600V
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Vishay Semiconductores
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Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFETO MOSFETO
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Renesas Electrónica
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NTMFS4C022NT1G |
Se aplicarán las siguientes medidas:
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Calificado
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Vishay Semiconductores
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NVD5C684NLT4G |
MOSFET T6 60V LL DPAK
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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En el caso de las
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET 20V 4.4A MOSFET P-CH
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Vishay Semiconductores
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NTJD4001NT1G |
MOSFET 30V 250mA con doble canal N
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En el caso de las
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BSS138K |
MOSFET 50V NCh Modo de mejora del nivel lógico FET
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Semiconductor Fairchild
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2N7002WT1G |
MOSFET señal pequeña MOSFET 6.8V LO C
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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En el caso de las
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IRFB18N50KPBF |
MOSFET N-Chan 500V 17 Amp
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Vishay Semiconductores
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FDS6898A |
MOSFET SO-8
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Semiconductor Fairchild
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MCH6445-TL-W |
Se aplicará el método de ensayo de los datos de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
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En el caso de las
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SI7956DP-T1-GE3 |
MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
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Vishay Semiconductores
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SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET de canal P 12V AEC-Q101 Calificado
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Siliciox / Vishay
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FDC3601N |
MOSFET Dual N-Ch 100V Fosa de potencia de especificación
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Semiconductor Fairchild
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FDG6332C |
MOSFET 20V Fosa de energía de canal N&P
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En el caso de las
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NTA7002NT1G |
MOSFET 30V 154mA en el canal N
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En el caso de las
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FDG6303N |
MOSFET SC70-6 N-CH 25 V
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Semiconductor Fairchild
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO y otras sustancias químicas
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En el caso de las
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40 V 200 A. Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto inv
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En el caso de las
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad. |
MOSFET N-Chan 600V 16 Amp
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Vishay Semiconductores
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El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET SuperFET2 600V versión lenta
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Semiconductor Fairchild
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FDMS86200 |
MOSFET 150V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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Semiconductor Fairchild
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET de la serie C
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Semiconductor Fairchild
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FDPF18N20FT |
MOSFET UniFET 200 V
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Semiconductor Fairchild
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FDD4685 |
MOSFET -40V MOSFET de transmisión de energía por canal P
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En el caso de las
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FDS8858CZ |
MOSFET 30V MOSFET con doble N & P-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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FQD7P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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Semiconductor Fairchild
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FDS4897C |
MOSFET 40V MOSFET con doble N & P-Ch PowerTrench
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Semiconductor Fairchild
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