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Semiconductor IC
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Se aplicará el método IRFP448PBF. |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 para el uso en las instalaciones de las empresas de telecomunicaciones
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Vishay Siliconix
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FDB86363-F085: el número de unidades |
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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FQPF4N90C |
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos. |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de las partículas.
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En el caso de las
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NVH4L022N120M3S |
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de las que se trate se calculará en
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En el caso de las
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NVMFS5C410NLWFAFT1G |
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
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En el caso de las
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Se aplicará el método de ensayo de los datos de la base de datos. |
El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de
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Renesas Electronics América Inc.
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FDP032N08 |
120A, 75V, 0,0032OHM, N canal
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Las acciones de Texas Instruments
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Se aplicará el método de ensayo de la norma de calidad de los productos. |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK y otros componentes
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Renesas Electronics América Inc.
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Se aplicará el método siguiente: |
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN y otros dispositivos de transmisión de energía
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En el caso de las
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK y el resto de los componentes
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Renesas Electronics América Inc.
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2V7002LT1G |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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En el caso de las
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente: |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK y otros dispositivos de transmisión de energía
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Vishay Siliconix
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El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo será el siguiente: |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Vishay Siliconix
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET de potencia, N-canal, SO8FL,
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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FDB12N50TM |
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK y el resto de los componentes
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En el caso de las
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 650V 44A a 220
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En el caso de las
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FCP099N65S3 |
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 y el resto de los componentes
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En el caso de las
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Si se cumplen las condiciones siguientes: |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la seña
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Vishay Siliconix
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El número de unidades de producción será el número de unidades de producción. |
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
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En el caso de las
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NTMFS5C410NT1G |
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
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En el caso de las
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FDP027N08B-F102 Las condiciones de los vehículos de transporte de pasajeros |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 y otros componentes de los mismos
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En el caso de las
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET P-CH 60V 120A hasta 263
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Vishay Siliconix
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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NTMFS5C645NLT1G |
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN y el resto de los componentes
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En el caso de las
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FDMS86300DC |
MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56 Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto
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En el caso de las
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FCD360N65S3R0 |
Se aplicará el método de medición de los efectos de los cambios en la temperatura.
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En el caso de las
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Se aplicará el método de evaluación de los riesgos. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en el sitio web de la Agencia. |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad. |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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NTD20P06LT4G |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los residuos.
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En el caso de las
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Se trata de un sistema de control de la calidad. |
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
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En el caso de las
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FDN302P |
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 y sus componentes
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En el caso de las
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Se trata de un producto de la familia de los productos farmacéuticos |
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la señal
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En el caso de las
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FDA69N25 |
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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En el caso de las
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes: |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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En el caso de las
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SUM70101EL-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A hasta 263
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Vishay Siliconix
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NTD3D3D3D3D |
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
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En el caso de las
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Las condiciones de los controles de seguridad deben ser las siguientes: |
MOSFET N-CH 100V 7.7A a 251AA, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
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Vishay Siliconix
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NTTFS5C673NLTAG |
MOSFET N-CH 60V 13A / 50A 8WDFN para el uso en el mercado
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En el caso de las
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SQJ872EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 y sus componentes
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Vishay Siliconix
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NTF3055L108T1G |
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
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En el caso de las
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Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. |
MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía de la
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Vishay Siliconix
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FDC86244 y otros |
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6 y sus componentes
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En el caso de las
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SQ2337ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 y otros componentes de los mismos
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Vishay Siliconix
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SQ2348ES-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 30V 8A a 236
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Vishay Siliconix
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 y sus componentes
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En el caso de las
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